【慧聪丝印特印网】东京大学副教授染谷隆夫研究小组与德国马普固体研究所（Max Planck Institute for Solid State Research）合作，使用印刷技术成功开发出了通道长仅为1μm的有机晶体管。使用的有机半导体材料方面，p型晶体管为并五苯，n型晶体管为酞菁类F16CuPc，载流子迁移率和开/关比方面，p型为0.3cm²/Vs和10⁶，N型为0.02cm²和10⁴。驱动电压也比较低，通常为数十V的位置此次降低到了2～3V。利用这些晶体管的CMOS转换器电路也在试制之中，并且已经确认动作良好。底板使用玻璃和柔性塑料。所有底板均得到了上述良好的晶体管特性。

　　此次试制的有机晶体管采用称为顶电极型的结构，在有机半导体层上形成源电极和漏电极，栅电极配置在有机半导体层下部，以栅绝缘层隔开。与形成源-漏电极后再形成有机半导体层的构造（底电极型）相比，顶电极型能够表现出稳定的优良晶体管特性，并且有望获得较高的载流子迁移率。但是，源电极和漏电极的间隔——通道长“最小只能达到10μ～20μm”（东京大学染谷）。无法使用光刻技术，只能采用基于荫罩的蒸镀。因此，即使晶体管特性稳定，利用顶电极型实现高速工作的晶体管——微细晶体管仍然非常困难。

　　为了解决这一问题，东大此次决定利用喷墨技术形成源电极和漏电极。喷墨装置使用的是SIJTechnology开发的“超级喷墨”装置。该装置的喷头可喷出的液滴尺寸为1fl（飞升）以下，不及一般喷头的1/1000，能够形成微细图案。东大使用该装置，在有机半导体层上形成了源电极和漏电极。电极为Ag（银），宽2μm，厚25nm。

图1：晶体管结构